طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) با نرم افزار پروتئوس

پروژه طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) با Proteus

پروژه طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) با نرم افزار Proteus را آماده کردیم که از تمرین های درس آزمایشگاه الکترونیک ۱ می باشد. در ادامه هدف از طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) در این پروژه و تئوری آن بیان شده است. مراحل کامل پروژه و فرمول ها که در اینجا گذاشته نشده، در یک فایل پی دی اف در ادامه قابل دانلود می باشد که می توانید دریافت و بررسی نمائید.

ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) چیست ؟

ترانزیستور پیوندی دو قطبی یا BJT یک نوع ترانزیستور دارای سه پایه به نام های بیس (B)، امیتر (E) و کلکتور (C) است و بدلیل اینکه در این قطعه اثر الکترون ‌ها و حفره‌ ها هر دو مهم می باشد، ترانزیستور دو قطبی نام گرفته است.

هدف آزمایش در پروژه طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT):

در این آزمایش با روش طراحی دو مدار متداول بایاس BJT آشنا می شویم و پایداری حرارتی آنها را با هم مقایسه خواهیم کرد.

تئوری آزمایش در پروژه طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT):

برای آنکه از ترانزیستور به عنوان تقویت کننده استفاده شود، می بایست آن را در ناحیه فعال تغذیه کرد که در این حالت پیوند بیس امیتر در جهت مستقیم و پیوند بیس کلکتور در جهت معکوس تغذیه می گردد.

توضیحات بیشتر و دانلود PDF شرح کامل مسئله پروژه طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) با Proteus در ادامه مطلب.

مواردی که نقطه کار و تغذیه مناسب ترانزیستور به آنها بستگی دارد:

حداکثر دامنه مجاز در خروجی، حداقل تلفات، پهنای باند، پایداری حرارتی، کم کردن عدد نویز، افزایش بهره و خطی نمودن عملکرد تقویت کننده دارد. ما در اینجا دو نوع بایاس BJT را بررسی خواهیم کرد، نوع اول که مدار آن در شکل (1-5) دیده می شود چون جریان بیس ثابت بوده و می توان گفت عامل اصلی تعیین کننده آن مقاومت R_B است بدین صورت به این مدار بایاس ثابت یا Fixed Bias گفته می شود.

این مدار به آسانی طراحی می شود، اما پایداری حرارتی مناسبی ندارد و ضریب پایداری حرارتی آن از رابطه S = 𝛽 + 1 بدست می آید که ضعف عمده این مدار می باشد. در شکل (2-5) از روش خود بایاس (Self Bias) استفاده شده است. فیدبک ایجاد شده توسط R_E پایداری مدار را بهبود می بخشد و ضریب پایداری این مدار نیز در توضیحات شرح مسئله آمده است.

مرحله 1: مدارهای شکل (1-5) و (2-5) را برای V­_­CE = 6v طراحی کنید.

(V­_­CE(on) = 0.6v , V_cc = 12v , R_c = 2.2 KΩ)

این مدارها را ببندید و V­_­CE و I­_­C را اندازه بگیرید در هر قسمت با نزدیک کردن هویه به ترانزیستور آن را گرم کنید و تغییرات V­_­CE را مشاهده کنید.

مرحله 2: در مدار شکل (2-5) به جای R₂ از یک پتانسیومتر 10 2KΩ استفاده کنید و اثر تغییر R₂ بر روی V­_­CE بررسی کنید مقدار R₂ که به ازای آن V­_­CE = 6v می شود را بدست آورید.

توضیحات بیشتر، مراحل انجام پروژه و و فرمول های پروژه طراحی مدار ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) در ادامه در قالب یک فایل پی دی اف قابل دانلود می باشد.